Shasta (IG5208)
Shasta (IG5208) 是一款业界领先的 PCIe Gen3 x2、NVMe 1.3 固态硬盘主控芯片，支持容量高达2TB。
Shasta采用无本地DRAM的架构，在SSD中移除了价格高昂的DRAM，完全支持HMB功能，并内置有智能电源管理单元，真正实现了高性能、超低功耗和低成本。Shasta具有四个NAND通道，可通过ONFI 4.0 或Toggle 3.0接口，支持SLC、MLC、TLC和QLC NAND闪存。Shasta的低功耗和小尺寸，使其特别适合应用于常见尺寸的BGA和M.2 SSD。
此外，Shasta支持多种先进的功能，包括智能高速缓存 (Smart Cache) 技术、芯片集成上电复位功能、多级电源管理、NAND启动分区、简化的电路板设计等。
Shasta定位于那些需要追求超轻薄外形、超长电池寿命和出色性能，且无需复杂散热方案的应用，例如：客户端/边缘计算、服务器启动硬盘、工业控制、嵌入式系统、外部存储等，尤其对于物联网和消费电子产品领域更是十分理想的选择。
功能
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可灵活调配的 RAID |
NVM 开放通道 |
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英韧特有的 2K LDPC ECC |
HMB 数据完整性保护 |
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支持对TCM/Cache/SRAM的ECC保护 |
AES 128/256, SM 2/3/4(国密), SHA3-256 |
指标
| 接口 |
PCIe Gen3 x2 |
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| 封装 |
195球 VFBGA (9mm x 10mm) |
187球 TFBGA (7mm x 10.5mm) |
| 最高性能 |
顺序读取：1750 MB/s |
顺序写入：1500 MB/s |
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随机读取：250K IOPs |
随机写入：200K IOPs |
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| 功耗 |
峰值 |
0.9W |
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PS3 |
50mW |
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PS4 |
<1mW |
Shasta+ (IG5216)
Shasta+ (IG5216) 是一款 PCIe Gen3 x4、NVMe 1.4 固态硬盘主控芯片，支持容量高达2TB。 Shasta+ 采用增强型无本地DRAM架构，完全支持HMB功能，打破了现有SSD在优化性能和降低延迟上的局限性，以低成本实现了业界领先的性能。
Shasta+ 的设计使其在顺序读写速度上有了较大的提升；内置先进的智能电源管理单元，在活动模式和空闲模式下均实现了超低功耗。 Shasta+ 具有四个NAND通道，可通过ONFI 4.1 或Toggle 4.0接口，支持SLC、MLC、TLC和QLC NAND闪存。
此外，Shasta+ 支持多种先进的功能，包括多种数据加密和保护机制、智能高速缓存 (Smart Cache)、芯片集成上电复位功能、多级电源管理、NAND启动分区、增强的QLC性能、简化的电路板设计等。
Shasta+ 可灵活支持主流外形尺寸的BGA和M.2 SSD，定位于那些需求追求超轻薄外形、超长电池寿命和出色性能的应用，例如：客户端计算、工业控制、物联网、服务器启动硬盘、外部存储、嵌入式系统等。
功能
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可灵活调配的 RAID |
NVM 开放通道 |
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英韧特有的 4K LDPC ECC |
HMB 数据完整性保护 |
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支持对TCM/Cache/SRAM的ECC保护 |
AES 128/256, SM 2/3/4(国密), SHA3-256 |
指标
| 接口 |
PCIe Gen3 x4 |
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| 封装 |
198球 TFBGA (7mm x 11mm) |
256球 TFBGA (10mm x 10mm) |
| 最高性能 |
顺序读取：3400 MB/s |
顺序写入：3000 MB/s |
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随机读取：500K IOPs |
随机写入：350K IOPs |
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| 功耗 |
峰值 |
1.35W |
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PS3 |
50mW |
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PS4 |
<1mW |
RainierPC (IG5236)
Rainier IG5236 采用先进的12nm FinFET CMOS 制造工艺，是一款业界领先的PCIe Gen4 x4、NVMe 1.4 固态硬盘主控芯片，支持容量高达8TB。
IG5236 支持数据总线位宽为 (32+8) 位或32位的DDR SDRAM。IG5236具有八个NAND通道，可通过ONFI 4.1或 Toggle 2.0/3.0/4.0接口，支持SLC、MLC、TLC和QLC NAND闪存。
IG5236 采用包括国密标准SM2/3/4、AES、SHA、RSA、ECC、CRC、RAID和端到端数据保护在内的多种数据加密和保护机制，实现了最高级别的安全性能。英韧特有的ECC技术，可以大幅改善数据持久保存的能力，为SSD方案提供更好的可靠性和超高的性能。
功能
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英韧特有的 4K LDPC ECC |
DDR3L/4，LPDDR3/4，容量高达8GB |
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4个命名空间 (Namespace) |
支持对TCM/Cache/SRAM/DDR的ECC保护 |
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NAND接口速度高达1200MT/s |
SM 2/3/4(国密)，AES 128/256，SHA3-256，RSA1024/2048/3072/4096 |
指标
| 接口 |
PCIe Gen4 x4 |
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| 封装 |
575球 FCBGA (15mm x 15mm) |
528球FCCSP (14mm x 14mm) |
| 最高性能 |
顺序读取：7.4 GB/s |
顺序写入：6.4 GB/s |
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随机读取：1000K IOPs |
随机写入：800K IOPs |
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| 功耗 |
峰值 |
3W |
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PS3 |
50mW |
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PS4 |
< 2mW |
RainierQX/Q (IG5220/IG5221)
RainierQX/Q系列包含两颗针对不同应用的芯片：用于无DRAM的低成本客户端解决方案的IG5220，以及用于带DRAM的高端客户解决方案的IG5221。
IG5220/IG5221采用先进的12nm FinFET CMOS 制造工艺，是一款业界领先的PCIe Gen4 x4、NVMe 1.4 SSD主控芯片，支持容量高达4TB/8TB。
IG5220具有增强的无DRAM架构，并全面支持HMB功能。 IG5221可集成16位的DDR SDRAM，支持容量高达8GB。
RainierQX/Q具有4个NAND通道，可通过ONFI接口或Toggle模式接口，支持SLC、MLC、TLC和QLC的NAND闪存操作。
IG5220/IG5221采用了包括国密标准SM2/3/4、AES、SHA、RSA、ECC、CRC、RAID和端到端数据保护在内的多重数据加密和保护机制，实现了最高级别的安全性能。
采用英韧自主研发的第三代LDPC ECC技术（即第二代 4K LDPC），可以大幅改善数据持久保存的能力，从而为SSD方案提供更好的可靠性和超高的性能。
功能
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NVMe 1.4，NVM开放通道 |
PCIe Gen4 ×4 |
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NAND接口速度支持1600MT/s和2400MT/s |
ONFI 5.0 和 Toggle 2.0/3.0/4.0/5.0 |
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英韧特有的第二代4K LDPC ECC |
支持对TCM/Cache/SRAM/DDR的ECC保护 |
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IG5221: DDR3L/DDR4/LPDDR4，8GB |
SM 2/3/4，AES 128/256，SHA 3-256， RSA1024/2048/3072/4096 |
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16 个命名空间(Namespace) |
支持SR-IOV，多达8个虚拟化功能 |
指标
| 容量 |
4TB (IG5220) / 8TB (IG5221) |
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| 封装 |
IG5220 |
IG5221 |
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216球，7.5mm x 11mm TFBGA 361球，12mm x 12mm TFBGA |
361球，12mm x 12mm TFBGA |
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| 最高性能 |
顺序读取：5100 MB/s |
顺序写入：5000 MB/s |
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随机读取：800K IOPs |
随机写入：600K IOPs |
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| 功耗 |
峰值 |
2.5W |
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PS3 |
10mW |
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PS4 |
< 2mW |
